机译:通过金属有机化学气相沉积在图案化精确定向(001)硅基板上的大面积直接异轴长度增长1550nm-nm ing-incum-pont结构
Univ Calif Santa Barbara Dept Elect &
Comp Engn Santa Barbara CA 93106 USA;
Univ Calif Santa Barbara Dept Mat Santa Barbara CA 93106 USA;
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III-V growth on silicon; MOCVD; InGaAsP; thin films; hetero-epitaxy;
机译:通过金属有机化学气相沉积在图案化精确定向(001)硅基板上的大面积直接异轴长度增长1550nm-nm ing-incum-pont结构
机译:GaAs(001)衬底上的金属有机化学气相沉积生长和InAs / GaSb II型超晶格的表征
机译:金属有机化学气相沉积法在7°-off(001)Si衬底上生长和表征无裂纹半极性(1-101)GaN
机译:低压金属有机化学气相沉积在硅上异质外延生长ZnO薄膜
机译:流体动力学和反应器设计对金属有机化学气相沉积在硅衬底上氮化镓外延生长的影响。
机译:应变补偿的InGaAsP超晶格用于通过金属有机化学气相沉积减少在精确取向的(001)图案化Si衬底上生长的InP的缺陷
机译:在Gaas衬底上通过金属有机化学气相沉积生长的InGaas / InGaasp / InGap量子阱激光二极管的界面结构
机译:金属有机化学气相沉积制备InGaasp / Gaas结构中的光致发光效率和过量载流子限制