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机译:基于GAN的连接场效应晶体管,具有异栅电介质,用于提高直流和射频性能
Kyungpook Natl Univ Sch Elect Engn Daegu 702701 South Korea;
Kyungpook Natl Univ Sch Elect Engn Daegu 702701 South Korea;
Kyungpook Natl Univ Sch Elect Engn Daegu 702701 South Korea;
Kyungpook Natl Univ Sch Elect Engn Daegu 702701 South Korea;
GaN; Junctionless Transistor; Hetero-Gate Dielectric; Normally-Off Operation; Cut-Off Frequency;
机译:基于GAN的连接场效应晶体管,具有异栅电介质,用于提高直流和射频性能
机译:无结单金属栅极圆柱形环绕栅金属氧化物半导体场效应晶体管的模拟和射频性能
机译:异栅介电隧穿场效应晶体管的射频性能
机译:使用介质工程增强结型现场效应晶体管的直流性能
机译:使用金属 - 铁电半导体场效应晶体管进行射频和数字电路的设计,测试和建模
机译:量身定制介电层结构以增强有机场效应晶体管的性能:夹层极性介电层的使用
机译:校正:具有不同低/高k EOT比率的杂栅介质隧道场效应晶体管的装置物理与设计
机译:基于脱氧核糖核酸(DNa)栅介质的生物有机半导体场效应晶体管(BioFET)