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机译:低功率子v i> t sub>嵌入式DRAM的优化基于FinFET的增益单元
EDRAM; FINFET; RELIABILITY; SINGLE EVENT UPSETS; SUB-VT; VARIABILITY;
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机译:用于低功耗纳米级嵌入式DRAM的新型两晶体管浮体/栅极单元
机译:具有2T双Vt增益单元的5.42nW / kB保留功率逻辑兼容嵌入式DRAM,适用于低功率传感应用
机译:配电系统中的负载流量和最佳功率流 - riemannian优化和全谐嵌入的应用
机译:用于低延迟和低功耗3D堆叠DRAM的DRAM中缓存管理
机译:采用非刷新嵌入式DRam的低功耗高吞吐量LDpC解码器