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目录
1 绪论
1.1 课题研究背景
1.2 相关领域研究现状
1.3 本文的研究内容和组织结构
第2章 嵌入式SRAM的抗辐射加固和面积代价研究
2.1 SRAM单元的辐射效应
2.2 抗辐射加固技术
2.3 加固技术导致的面积代价
2.4 在深亚微米工艺中的读写稳定性与限制
2.5 本章小结
第3章 基于增益单元的抗TID/SEL加固的eDRAM单元
3.1 增益单元的特性
3.2 抗TID/SEL加固的eDRAM单元和优化技术
3.3 4P eDRAM存储单元的性能仿真
3.4 本章小结
第4章 4P eDRAM单元的抗SEU和MCU加固方法研究
4.1 4P eDRAM单元单粒子效应
4.2 双模冗余(DMR)+列向比特间隔(CDBI)加固技术
4.3 抗SEU和MCU性能仿真验证
4.4 HGC eDRAM单元存储密度
4.5 本章小结
第5章 基于Replica技术的自适应刷新周期控制系统
5.1 HGC eDRAM的刷新功耗
5.2 自适应刷新周期(ARP)控制系统
5.3 与现有技术的对比和代价限制
5.4 ARP控制系统追踪性能仿真
5.5 本章小结
第6章 基于分段交错的隐式刷新方法
6.1 传统的刷新方法和当前的隐式刷新技术
6.2 基于分段交错的隐式刷新方法
6.3 Dual-Port HGC eDRAM与快速隐式刷新方法
6.4 隐式刷新方法仿真验证
6.5 本章小结
第7章 总结与展望
7.1 工作总结
7.2 工作展望
致谢
参考文献
附录1 作者在攻读博士学位期间科研成果
附录2 公开发表的学术论文与博士学位论文的关系