机译:钨掺杂铟 - 氧化锌导电桥接随机存取存储器的双极电阻切换特性
Natl Chiao Tung Univ Dept Elect Engn Hsinchu 30010 Taiwan;
Natl Chiao Tung Univ Dept Photon Hsinchu 30010 Taiwan;
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Indium-tungsten-zinc-oxide; Non-volatile memories (NVM); Conductive-bridging random access memory (CBRAM); Physical vapor deposition;
机译:钨掺杂铟 - 氧化锌导电桥接随机存取存储器的双极电阻切换特性
机译:出版者的注释:“基于氮化钽的电阻式随机存取存储设备中的双极电阻式开关特性”物理来吧106,203101(2015)]
机译:在用于电阻随机存取存储器的8 x 8 Pt / NiNx / Ti / TiN交叉开关阵列结构中观察到稳定的双极电阻开关特性
机译:用于导电桥接电阻随机存取存储器应用的纳米晶体膜中的电阻切换特性
机译:电阻切换随机存取存储器(RRAM):对实际应用的分析,建模和表征
机译:HfO2 / TiOx双层电阻随机存取存储器中的低功率电阻切换特性
机译:出版商注:“钽氮化物电阻随机存取存储器设备的”双极电阻切换特性“Appl。物理。吧。 106,203101(2015)
机译:原子层沉积(aLD) - 沉积二氧化钛(TiO2)厚度对Zr40Cu35al15Ni10(ZCaN)/ TiO2 /铟(In)基电阻随机存取存储器(RRam)结构性能的影响。