...
机译:用氯气相外延对Si(100)底物上的六边形Aln和GaN层的合成
Ioffe Inst St Petersburg 194021 Russia;
Ioffe Inst St Petersburg 194021 Russia;
Ioffe Inst St Petersburg 194021 Russia;
St Petersburg State Univ St Petersburg 198504 Russia;
Ioffe Inst St Petersburg 194021 Russia;
Ioffe Inst St Petersburg 194021 Russia;
Ioffe Inst St Petersburg 194021 Russia;
机译:用氯气相外延对Si(100)底物上的六边形Aln和GaN层的合成
机译:在纳米结构Si(100)衬底上的半极性Aln(10(1)覆盆子2)层的氢化物气相外延
机译:通过插入中间保护层在GaAs(100)衬底上立方氮化镓的金属有机气相外延
机译:使用表面重建专用外延对Si(111)的六边形ALN(100)和GaN(100)的生长和表征
机译:六方氮化硼/石墨烯异质结构,六方氮化硼层和立方氮化硼纳米点的分子束外延生长
机译:蓝宝石衬底上具有反应性等离子体沉积AlN成核层的GaN基紫外发光二极管的效率提高
机译:使用AlAs中间层通过金属有机气相外延在GaAs {11n}衬底上生长的六方GaN
机译:在(00-1)蓝宝石,(100)和(111)硅衬底上生长的高质量aIN和GaN外延层