机译:使用电感耦合的SF6 / O-2 / AR等离子体,通过改进的SiC / SiO2选择性进行微型沟槽4H-SIC蚀刻
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机译:CF4 / CH2F2 / N-2 / Ar电感耦合等离子体中SiC,SiO2和Si的刻蚀特性:CF4 / CH2F2混合比的影响
机译:用于深硅刻蚀应用的感应耦合SF 6和SF6 / Ar等离子体中等离子体化学的数值研究
机译:通过整体模型与朗缪尔吸附动力学耦合研究硅和二氧化硅的感应耦合SF6等离子体蚀刻
机译:在感应耦合等离子体反应器中研究碳氟化合物沉积和蚀刻对硅和二氧化硅蚀刻工艺的影响(使用三氟化甲基),并开发了用于研究等离子体与表面相互作用机理的反应离子束系统。
机译:通过直接等离子体辅助氧化控制4H-SiC上生长的SiO2膜中的缺陷和过渡层
机译:sF6 / O-2中siC的电感耦合等离子体蚀刻和蚀刻诱导的表面化学键合修饰
机译:在BCl3 / ar和Cl2 / ar中的III-V锑化物的电感耦合等离子体蚀刻;真空科学与技术杂志