机译:通过石墨烯/ H-BN /石墨烯异质结构的H-BN屏障零尺寸缺陷水平观察负导电性区域和电流产生的影响
Russian Acad Sci Inst Problems Microelect Technol Chernogolovka 142432 Moscow Oblast Russia;
Russian Acad Sci Inst Problems Microelect Technol Chernogolovka 142432 Moscow Oblast Russia;
Univ Manchester Sch Phys &
Astron Oxford Rd Manchester M13 9PL Lancs England;
Univ Manchester Sch Phys &
Astron Oxford Rd Manchester M13 9PL Lancs England;
tunneling; magnetic tunneling; van der Waals heterosystems; graphene;
机译:通过石墨烯/ H-BN /石墨烯异质结构的H-BN屏障零尺寸缺陷水平观察负导电性区域和电流产生的影响
机译:APS -APS 2017年3月会议-活动-石墨烯/ h-BN /石墨烯结构的垂直传输:多个负差分电导区域和声子辅助隧穿
机译:石墨烯/ h-BN /石墨烯结构中的多个负微分电导区域和非弹性声子辅助隧穿
机译:侧向石墨烯/ h-BN异质结构对NH3的传感特性:第一个原理研究
机译:h-BN-石墨烯-h-BN中的1 / f电子噪声和h-BN-TaSe 3 van der Waals异质结构中的高击穿电流密度。
机译:在全CVD h-BN /石墨烯/ h-BN异质结构上批量制造霍尔传感器
机译:用H-BN结构域的可调谐形态学原位外延工程和H-BN横向异质结构