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机译:使用Poole-Frenkel效应预测硅与绝缘子晶体结构的掩埋氧化物中捕获电荷的大小
Sedakov Sci Res Inst Measurement Syst Nizhnii Novgorod 603137 Russia;
Alekseev Nizhny Novgorod State Tech Univ Nizhnii Novgorod 603950 Russia;
Sedakov Sci Res Inst Measurement Syst Nizhnii Novgorod 603137 Russia;
silicon-on-insulator; silicon oxide; Poole-Frenkel effect; carrier injection; radiation resistance;
机译:使用Poole-Frenkel效应预测硅与绝缘子晶体结构的掩埋氧化物中捕获电荷的大小
机译:SIMOX结构的电荷俘获与掩埋氧化物厚度
机译:通过Poole-Frenkel空穴发射实现具有嵌入式硅纳米粒子的低功耗基于氧化锌的电荷陷阱存储
机译:SOI结构埋入氧化物中的电荷载体注入和俘获
机译:通过二次谐波产生研究了绝缘体上硅和硅/二氧化硅/氧化镁异质结构中的电荷载流子动力学。
机译:蛋白质电荷阶梯显示ALS连接的超氧化物歧化酶的净电荷的符号和大小可能与预测值不同
机译:通过Poole-Frenkel空穴发射,具有嵌入式硅纳米粒子的低功耗基于氧化锌的电荷陷阱存储