机译:通过Poole-Frenkel空穴发射实现具有嵌入式硅纳米粒子的低功耗基于氧化锌的电荷陷阱存储
Department of Electrical Engineering and Computer Science (EECS), Institute Center for Microsystems–iMicro, Masdar Institute of Science and Technology, Abu Dhabi, United Arab Emirates|c|;
机译:通过Poole-Frenkel空穴发射实现具有嵌入式硅纳米粒子的低功耗基于氧化锌的电荷陷阱存储
机译:基于恒流载体注射法评价的碳碳氮化物(SICN)的电荷捕获记忆的空穴捕获特性
机译:嵌入在基于SOG的氧化物基质中的HfO _2纳米颗粒作为SOHOS型存储器应用的电荷捕获层(会议论文)
机译:具有嵌入式硅纳米粒子的低功耗基于氧化锌的电荷陷阱存储器
机译:新型基于氮化硅的电荷陷阱栅功率半导体器件。
机译:通过利用氧化铝的高介电常数和高带隙低功率和闪光阵列的低功率和闪光阵列的保留增强
机译:通过Poole-Frenkel空穴发射,具有嵌入式硅纳米粒子的低功耗基于氧化锌的电荷陷阱存储