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机译:嵌入在基于SOG的氧化物基质中的HfO _2纳米颗粒作为SOHOS型存储器应用的电荷捕获层(会议论文)
Charge trapping; HfO _2 nanoparticles; SOHOS memory; Spin-On Glass;
机译:嵌入在基于SOG的氧化物基质中的HfO _2纳米颗粒作为SOHOS型存储器应用的电荷捕获层(会议论文)
机译:嵌入在HfO_xN_y中的TiO_xN_y纳米粒子的表征,作为非易失性存储设备应用中的电荷捕获节点
机译:嵌入在Hfo_xn_y中的各种合金化金属氧化物纳米粒子作为非易失性存储器件中的电荷俘获节点的特性
机译:嵌入HfO_2中的2.85 nm Si纳米粒子的电荷陷阱存储器
机译:聚合物支撑的水合氧化铁(HFO)纳米粒子:表征和环境应用。
机译:四层石墨烯纳米片与不对称Al2O3 / HfO2隧道氧化物的2.85-nm Si纳米颗粒相比具有增强的非易失性存储特性
机译:使用HFO 2 sub>纳米粒子作为电荷俘获层和超薄隧道厚度的性能