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机译:用于形成单片光电器件的间隙(NAS)外延层的精确化学蚀刻
St Petersburg Natl Res Acad Univ Russian Acad Sci St Petersburg 194021 Russia;
St Petersburg Natl Res Acad Univ Russian Acad Sci St Petersburg 194021 Russia;
St Petersburg Natl Res Acad Univ Russian Acad Sci St Petersburg 194021 Russia;
机译:用于形成单片光电器件的间隙(NAS)外延层的精确化学蚀刻
机译:磷酸中超宽带隙β-Ga_2O_3半导体的光电化学蚀刻及其光电器件应用
机译:石英玻璃等离子体化学蚀刻在件高精度部件的深层表面浮雕过程中的等离子体化学蚀刻
机译:Si衬底上单片光电集成电路的(In)GaPN系统的外延生长
机译:基于外延锗层的金属氧化物半导体器件,通过超高真空化学气相沉积直接在硅衬底上选择性生长
机译:用金属辅助化学蚀刻形成高掺杂多孔Si层的硅衬底的形成与评价
机译:外延层/衬底光电纳米器件中光电导增益缓慢演化的预测方案
机译:低带隙,单片,多带隙,光电器件。