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声明
第一章绪论
§1.1研究的背景和意义
§1.2论文的结构安排
参考文献
第二章MOCVD异质外延生长技术
§2.1引言
§2.2外延生长的三种模式
§2.3外延生长技术简介
§2.4 MOCVD外延生长机理
§2.5外延生长的动力学模型
§2.6 MOCVD生长设备简介
§2.7本章小结
参考资料
第三章低维异质外延应变分析
§3.1引言
§3.2 Stranski-Krastanow生长模式和量子点的形成
§3.3 S-K生长模式的热力学原理
§3.4 S-K生长模式能量的变化
§3.5应变异质外延的厚度与晶格失配度的关系
§3.6异质外延自组织量子点弹性应变场分布的研究
3.6.1研究背景
3.6.2有限元方法基本理论
3.6.3无盖层应变量子点分析
3.6.4有盖层应变量子点分析
3.6.5垂直堆垛应变量子点系统分析
§3.7本章小结
参考文献
第四章大失配异质外延生长技术理论和实验研究
§4.1引言
§4.2大失配材料异质集成的柔性衬底技术的发展概况
§4.3异质外延生长中的应变和失配位错
4.3.1异质外延层中的应变
4.3.2外延层中的失配位错
§4.4柔性衬底中失配位错应变能与临界厚度的理论分析
4.4.1位错应变力场的分布
4.4.2柔性衬底和外延层系统应变能以及临界厚度
§4.5大失配异质外延中低温缓冲层技术研究
4.5.1低温缓冲层外延生长
4.5.2实验结果与讨论
§4.6大失配异质外延中图型衬底外延技术研究
4.6.1图型衬底外延的主要技术
4.6.2刻槽图型衬底中外延层应力释放理论分析
4.6.3刻槽衬底图型外延技术的实验探索
§4.7本章小结
参考文献
第五章半导体晶片键合技术的理论研究
§5.1引言
§5.2晶片键合技术的简介
5.2.1键合技术发展的历史背景
5.2.2晶片键合的主要方法
5.2.3晶片键合的基本原理和工艺过程
5.2.4晶片键合技术的应用
§5.3室温晶片键合界面接触弹性理论分析
§5.4晶片表面几何特性对键合的影响
§5.5晶片键合热应力理论分析
5.5.1热应力的结构力学分析方法
5.5.2结构力学分析结果
5.5.3有限元方法分析结果
5.5.4减少键合热应力对晶片键合影响的途径
§5.6本章小结
参考文献
第六章半导体晶片键合技术的实验研究
§6.1晶片键合中夹具的设计和红外测试装置的搭建
6.1.1夹具的设计
6.1.2晶片键合红外透射检测装置
§6.2 GaAs/InP键合晶片表面处理工艺的实验研究
6.2.1晶片表面清洁处理
6.2.2晶片表面腐蚀处理
6.2.3晶片表面活化处理
§6.3 GaAs/InP键合晶片反射谱特性测试
§6.4本章小结
参考文献
致 谢
攻读博士学位期间发表的论文
