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机译:从硅氢化物生长时锗硅层杂交异质型初始阶段的特征
Alexeev Nizhny Novgorod State Tech Univ Nizhnii Novgorod 603950 Russia;
Russian Presidential Acad Natl Econ &
Publ Adm Nizhnii Novgorod 603950 Russia;
Lobachevskii Nizhny Novgorod State Univ Physicotech Res Inst Nizhnii Novgorod 603950 Russia;
机译:从硅氢化物生长时锗硅层杂交异质型初始阶段的特征
机译:氢化物和碳氢化合物在硅上真空表位生长的碳化硅层的综合结构分析
机译:初始结晶硅层对内部感应耦合等离子体型等离子体增强化学气相沉积法生长微晶硅性能的影响
机译:硅上GaP异质外延初始阶段的研究
机译:X射线研究由表面活性剂介导的外延生长的硅/锗/硅异质结构的初始生长。
机译:通过共面和非共面X射线衍射表征在(011)和(111)取向硅上生长的锗层中的位错
机译:通过共面和非共面X射线衍射表征在(011)和(111)取向硅上生长的锗层中的位错