机译:使用低温微波退火镍,镱和钛硅化的金属肖特基散源/漏极纳米线晶体管
Natl Chi Nan Univ Dept Elect Engn Nantou 54561 Taiwan;
Natl Chi Nan Univ Dept Elect Engn Nantou 54561 Taiwan;
Natl Chi Nan Univ Dept Elect Engn Nantou 54561 Taiwan;
Natl Chi Nan Univ Dept Elect Engn Nantou 54561 Taiwan;
Natl Nano Device Labs Hsinchu 30013 Taiwan;
Schottky barrier; Microwave annealing; Nanowire transistors; Metal silicidation; Dopant segregation;
机译:使用低温微波退火镍,镱和钛硅化的金属肖特基散源/漏极纳米线晶体管
机译:用于无注入锗p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的锗化镍肖特基源极/漏极触点的低温制备和表征
机译:用于无注入锗p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的锗化镍肖特基源极/漏极触点的低温制备和表征
机译:具有低温Si2H6钝化和无植入肖特基势垒NiGe金属源极/漏极的高性能Ω栅极Ge FinFET
机译:用于具有源/漏扩展的N型增强型氮化镓基肖特基势垒MOSFET的高级源极注入器
机译:通过低温微波退火通过掺杂剂隔离技术调整肖特基势垒高度
机译:MOS晶体管中用于源极/漏极的PtSi低肖特基势垒触点的TEM研究