microwave annealing Schottky barrier height MOSFETs dopant segregation low temperature diode;
机译:通过低温微波退火通过掺杂剂隔离技术调整肖特基势垒高度
机译:通过低温微波退火通过掺杂剂隔离技术调整肖特基势垒高度
机译:一种通过掺杂剂偏析技术调整NiSi肖特基势垒高度的改进方案
机译:在完全耗尽的SOI上使用肖特基势垒MOSFET中的杂质隔离进行肖特基势垒高度调整
机译:通过低电负性原子夹层对硅肖特基势垒高度进行系统调节。
机译:硼铝双重注入与微波退火相结合对NiSi / Si接触处肖特基势垒高度的调节
机译:通过低温微波退火通过掺杂剂隔离技术调整肖特基势垒高度