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机译:垂直互连结构的Algan / GaN-on-Si器件诱捕效果的研究
Natl Tsing Hua Univ Inst Elect Engn Hsinchu 300 Taiwan;
Natl Tsing Hua Univ Inst Elect Engn Hsinchu 300 Taiwan;
Natl Tsing Hua Univ Inst Elect Engn Hsinchu 300 Taiwan;
Natl Univ Singapore Dept Elect &
Comp Engn Singapore 119077 Singapore;
Natl Univ Singapore Dept Elect &
Comp Engn Singapore 119077 Singapore;
Chang Gung Univ Dept Elect Engn Taoyuan 333 Taiwan;
机译:垂直互连结构的Algan / GaN-on-Si器件诱捕效果的研究
机译:偏置应力诱导的高压场镀AlGaN / GaN-on-Si异质结FET的俘获效应
机译:采用部分凹陷和氟化陷阱电荷栅结构的无金,常态关闭的AlGaN / GaN-on-Si MIS-HEMT
机译:AlGaN / Si-GaN结构中的垂直泄漏/击穿机制
机译:Algan / Gan MoShemts诱捕效应研究
机译:腹膜内注射两种类型的石棉对大鼠的急性和慢性作用及其导致的间皮瘤的超微结构研究
机译:用于调查螺纹脱位作为动力装置的AlGaN / GaN-HEMT异质结构的垂直泄漏来源的方法
机译:辐射抗性mOs器件中的体捕获效应研究。