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机译:K和Mg掺杂对多层BST / ST / BST薄膜结构和介电性能的影响
Chengdu Univ Coll Pharm &
Biol Engn Chengdu Sichuan Peoples R China;
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Univ Elect Sci &
Technol Sch Mat &
Energy Chengdu Sichuan Peoples R China;
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BST films; sandwich structure; doping; dielectric properties;
机译:K和Mg掺杂对多层BST / ST / BST薄膜结构和介电性能的影响
机译:衬底温度对Ti和Er共掺杂HfO _2薄膜介电和结构性能的影响
机译:研究衬底温度和铜掺杂对掺杂和未掺杂铜的ZnO薄膜的结构,电学和光学性能的影响
机译:基质温度对有机光伏器件TiO_2掺杂ZnO膜的结构和光学性质的影响
机译:钛酸锶钡(BST)薄膜的介电性能和基于BST薄膜的移相器
机译:过渡金属掺杂对通过溶胶-凝胶法沉积在Si衬底上的TiO2膜的结构光学和磁性的影响
机译:通过化学气相沉积途径简单地合成介电基板上的大面积多层石墨烯薄膜(通过CVD途径合成介电基板上的MLG薄膜)