高密度配線に対応した新規の銅表面処理技術

摘要

日立化成工業は、次世代の電子機器に使用される高密度な配線基板向けに、従来処理と比較して鋼配線の表面粗さ（Rz）を1/10以下（20－40nmレベル）の微細凸凹均一に形成することで、配線を多層化する際に必要な絶縁層との接着力を確保できる銅表面処理技術を開発した。 近年、次世代の半導体パッケージとして、複数のチップを高密度は配線基板上に実装するシステムインパッケージ（SiP）が提案されている。 SiPでは、高速信号の伝送に対応するために、伝送損失の低減が重要となり、配線基板の絶縁層には誘電率·誘電損失の低い樹脂が使用されている。従来は、鋼配線と絶縁層の接着性を確保するため、配線表面に?μmレベルの凸凹を設ける銅表面処理が用いられてきた。 しかし、SiPに使用される微細な配線基板において、絶縁層·配線の密着性確保と配線表面の平滑化の両立が課題だつた。