机译:电感耦合等离子体中晶片尺寸均匀性蚀刻原子层蚀刻的后果
Univ Michigan Dept Elect Engn &
Comp Sci 1301 Beal Ave Ann Arbor MI 48109 USA;
Univ Michigan Dept Chem Engn 2300 Hayward St Ann Arbor MI 48109 USA;
Univ Michigan Dept Elect Engn &
Comp Sci 1301 Beal Ave Ann Arbor MI 48109 USA;
plasma etching; atomic layer etching; inductivley coupled plasmas;
机译:电感耦合等离子体中晶片尺寸均匀性蚀刻原子层蚀刻的后果
机译:定制偏置波形驱动感应耦合Ar / Cl2等离子体中Si原子层刻蚀的研究
机译:由定制偏置波形驱动的电感耦合AR / CL-2等离子体中Si的原子层蚀刻研究
机译:通过电感耦合等离子体反应离子刻蚀(ICP-RIE)和Ⅲ-Ⅴ材料的原子层刻蚀(ALE)进行低损伤刻蚀,以实现下一代器件性能。
机译:电感耦合等离子体刻蚀反应器中离子流和硅刻蚀速率的二维均匀性
机译:硅晶片蚀刻速率特性具有突发宽度使用150 kHz带高功率突发电感耦合等离子体
机译:硅晶片蚀刻速率特性具有突发宽度,使用150 kHz带高功率突发电感耦合等离子体
机译:用于水和废物微量元素分析的电感耦合等离子体原子发射光谱法,方法200.7。饮用水的电感耦合等离子体原子发射分析。方法200.7,修订版1.3的附录。