...
机译:A - Si:H / C - Si1-Y Ge-Y / P - Si薄膜的AC电导率和介电行为通过分子束外延法合成
Univ Sfax Sfax Fac Sci Appl Phys Lab BP 1171 Sfax 3000 Tunisia;
Univ Sfax Sfax Fac Sci Appl Phys Lab BP 1171 Sfax 3000 Tunisia;
Univ Sfax Condensed Matter Lab Fac Sci BP 1171 Sfax Tunisia;
Univ Sfax Sfax Fac Sci Appl Phys Lab BP 1171 Sfax 3000 Tunisia;
MOLTECH Anjou Univ Angers UMR CNRS 6200 2 Bd Lavoisier F-49045 Angers France;
Univ Gabes Fac Sci Gabes Appl Phys Lab Mat &
Nanomat Environm City Of Erriadh 6079 Gabes Tunisia;
MOLTECH Anjou Univ Angers UMR CNRS 6200 2 Bd Lavoisier F-49045 Angers France;
Impedance spectroscopy; Modulus; Ac conductivity; Dielectric properties; Thin films;
机译:A - Si:H / C - Si1-Y Ge-Y / P - Si薄膜的AC电导率和介电行为通过分子束外延法合成
机译:沉淀法合成Zn〜(2+)掺杂的oc-PbO纳米粒子的介电行为和交流电导率的研究
机译:溶胶-凝胶自燃合成Mg取代的LiFe_5O_8粉末的结构,交流电导率,介电行为和磁性
机译:Si 100上超薄外延/ spl gamma / -Al / sub 2 / O / sub 3 /栅介电膜的分子束外延(MBE)制备与电学表征
机译:Heusler型单晶铁磁形状记忆薄膜的分子束外延生长和相变行为。
机译:溶胶凝胶法和旋涂法制备的CoFe2O4 / BNT-BT0.08复合薄膜的介电压电和磁性能
机译:离子束合成金属 - 电介质纳米复合薄膜的结构和场发射特性。
机译:通过分子束外延沉积异质外延In(sub 2)O(sub 3)薄膜