机译:通过氢化非晶氧化硅缓冲层的窄间隙A-SiGe:H太阳能电池的PHI界面减少带中的带性不连续
Sungkyunkwan Univ Coll Informat &
Commun Engn Suwon 440746 South Korea;
Sungkyunkwan Univ Dept Energy Sci Suwon 440746 South Korea;
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Narrow-gap a-SiGe:H solar cells; a-SiOx:H buffer layers; Band gap profiling;
机译:通过氢化非晶氧化硅缓冲层的窄间隙A-SiGe:H太阳能电池的PHI界面减少带中的带性不连续
机译:A-Si:H缓冲层在P / I界面的角色和吸收层的带隙分析,用于增强氢化非晶硅锗太阳能电池中的细胞参数
机译:具有氢化本征非晶氧化硅p / i缓冲层的氢化非晶硅太阳能电池的性能改进
机译:具有氢化非晶氧化硅前固有缓冲层的高效P-SHJ太阳能电池
机译:氢化非晶硅太阳能电池中界面电势的原位测量和修改。
机译:SiNx阻挡层对聚酰亚胺Ga2O3掺杂的ZnO p-i-n氢化非晶硅薄膜太阳能电池性能的影响
机译:具有微晶硅氧化物接触层的硅异质结太阳能电池的优化非晶硅氧化物缓冲层