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机译:一种用于非晶硅太阳能电池的宽带隙氢化非晶硅缓冲层的制备方法
公开/公告号IN183811B
专利类型
公开/公告日2000-04-29
原文格式PDF
申请/专利权人 INDIAN ASSOCIATION FOR THE CULTIVATION OF SCIENCE;
申请/专利号IN788CA1994
发明设计人 RAY SWATI DR.;SAHA SUBHASH CHANDRA;BARUA ASHOK KUMAR PROF.;CHAUDHURI PARTHA DR.;
申请日1994-09-27
分类号H01L49/02;
国家 IN
入库时间 2022-08-22 01:55:58
机译: 太阳能电池,可通过在非晶硅层和透明电极之间插入金属缓冲层来防止非晶硅层的结晶化
机译: 太阳能电池,特别是聚光太阳能电池-具有晶体硅层和相邻的非晶硅层。层具有减少非晶层边界面附近的势垒的装置
机译: 通过在p-i-n非晶硅光伏电池中使用宽带隙n层来增强短路电流