机译:A-Si:H缓冲层在P / I界面的角色和吸收层的带隙分析,用于增强氢化非晶硅锗太阳能电池中的细胞参数
Sungkyunkwan Univ Coll Informat &
Commun Engn Suwon 440746 South Korea;
Sungkyunkwan Univ Dept Energy Sci Suwon 440746 South Korea;
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Thin film solar cells; Buffer layer; Band gap profiling;
机译:A-Si:H缓冲层在P / I界面的角色和吸收层的带隙分析,用于增强氢化非晶硅锗太阳能电池中的细胞参数
机译:氢化非晶硅氧化缓冲层对改善氢化非晶硅锗单结太阳能电池性能的作用
机译:通过氢化非晶氧化硅缓冲层的窄间隙A-SiGe:H太阳能电池的PHI界面减少带中的带性不连续
机译:缓冲层的光带间隙在P / I和I / N侧对非晶硅锗太阳能电池性能的影响
机译:高效硅太阳能电池的宽带隙异质结窗口层和光学限制
机译:SiNx阻挡层对聚酰亚胺Ga2O3掺杂的ZnO p-i-n氢化非晶硅薄膜太阳能电池性能的影响
机译:具有p型和n型氢化氧化硅层的薄膜非晶硅锗太阳能电池