机译:外延沉积铬薄膜的电气和结构性能
Kanazawa Univ Inst Sci &
Engn Kanazawa Ishikawa 9201192 Japan;
Grad Sch Nat Sci &
Technol Kanazawa Ishikawa 9201192 Japan;
Grad Sch Nat Sci &
Technol Kanazawa Ishikawa 9201192 Japan;
Grad Sch Nat Sci &
Technol Kanazawa Ishikawa 9201192 Japan;
Grad Sch Nat Sci &
Technol Kanazawa Ishikawa 9201192 Japan;
Cr film; X-ray reflectivity; Electrical resistivity; Antiferromagnetism; Quantum critical point;
机译:外延沉积铬薄膜的电气和结构性能
机译:外延SnO_2的结构和电性能:Sb膜通过MOCVD沉积在6 H-SiC上
机译:用Mn替代改性化学溶液的化学溶液的电气性能
机译:外延生长的全室内合金CO_2MNGE薄膜的结构和磁性沉积使用磁控溅射
机译:硅酸铬薄膜的结构,电和热电性能。
机译:通过Fe2O3:NiO比调节室温生长的外延薄膜的结构光学带隙和电性能
机译:mg浓度对外延生长mg掺杂C60薄膜结构,光学和电学性能的影响