机译:用表面缺陷提高磷界隧道场效应晶体管隧道电流
Inner Mongolia Univ Sch Phys &
Technol Hohhot 010021 Peoples R China;
Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices &
Microstruct Beijing 100083 Peoples R China;
Inner Mongolia Univ Sch Phys &
Technol Hohhot 010021 Peoples R China;
Shandong Univ Sch Informat Sci &
Engn Jinan Peoples R China;
Jining Normal Univ Sch Phys Jining 010021 Peoples R China;
Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices &
Microstruct Beijing 100083 Peoples R China;
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Microstruct Beijing 100083 Peoples R China;
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Microstruct Beijing 100083 Peoples R China;
机译:用表面缺陷提高磷界隧道场效应晶体管隧道电流
机译:磷源工程堆叠金属栅隧道场效应晶体管,具有增强的缩放比例
机译:利用等电子阱增强导通电流的硅基隧道场效应晶体管中隧道传输的研究
机译:使用双栅极结构研究和抑制多层phosphor隧道效应晶体管的双极性效应
机译:III-V垂直隧道场效应晶体管,隧道与栅极字段对齐
机译:基于GaMnAs的垂直自旋金属氧化物半导体场效应晶体管中的侧栅电场引起的大电流调制和隧穿磁阻变化
机译:边缘态对磷光子异质结隧穿场效应晶体管器件性能的影响
机译:晶体中隧道分子缺陷的振动吸收。 I.电场中的隧穿分子(KCl:OH( - ))。