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公开/公告号CN102754210B
专利类型发明专利
公开/公告日2017-05-03
原文格式PDF
申请/专利权人 高通股份有限公司;
申请/专利号CN201180008990.8
发明设计人 陈维川;升·H·康;朱晓春;
申请日2011-01-14
分类号
代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人宋献涛
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 09:55:05
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-05-03
授权
2012-12-19
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/22 申请日:20110114
实质审查的生效
2012-10-24
公开
机译: 用于自旋扭矩驱动的磁性隧道结的复合硬掩模架构和创建非均匀电流路径的方法
机译: 用于复合硬掩模结构和自旋扭矩驱动的磁性隧道结的形成非均匀电流路径的方法
机译:自旋转移力矩的角度依赖性在所述磁性隧道结具有堆叠的亚铁磁自由层
机译:来自具有内置硬轴偏振器的磁性隧道结的高功率和低临界电流自旋扭矩振荡
机译:磁性隧道结中的自旋转移力矩切换和自旋转移力矩随机存取存储器
机译:具有自旋霍尔效应驱动的磁性隧道结的互补自旋电子逻辑
机译:用于自旋电子学的Heusler复合异质结构和外延磁性隧道结
机译:CoO-ZnO纳米复合势垒自旋忆阻磁性隧道结
机译:在具有界面Rashba或整体非本征自旋轨道耦合的磁性和半磁性隧道结中通过磁化动力学进行电荷泵浦