机译:650 V GaN FET器件和包装寄生电感效果的光学激活的CASCODE配置
Univ Illinois Nanomat &
Energy Syst Lab Chicago IL 60607 USA;
NuCurrent Inc Adv Wireless Power Chicago IL 60661 USA;
Univ Chile Photon Grp Santiago Chile;
Univ Illinois Nanomat &
Energy Syst Lab Chicago IL 60607 USA;
Univ Hawaii Manoa Honolulu HI 96822 USA;
AT&
T Labs Middletown NJ USA;
Univ Chile Photon Grp Santiago Chile;
Gallium nitride field-effect transistor (GaN FET); Optical switch (OS); Cascode configuration; Wide bandgap power semiconductor devices; Packaging parasitic inductance;
机译:650 V GaN FET器件和包装寄生电感效果的光学激活的CASCODE配置
机译:高效工作的GaN级联FET中的寄生电感降低设计
机译:用于高效工作的GaN级联FET中的寄生电感降低设计
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