声明
1 绪论
1.1 GaN功率器件研究进展与意义
1.2 GaN功率器件可靠性的研究进展与意义
1.3 本论文的主要工作及其安排
2 HEMT器件介质层中的可靠性问题
2.1 介质层中的缺陷分布
2.2 实验方案与器件表征
2.3 高场应力引起的Vth退化及物理机制
2.4 热电子注入引起的Vth退化及物理机制
2.5 硬开关应力引起的Vth退化及物理机制
2.6 高温下的Vth退化规律
3 HEMT器件buffer层中的可靠性问题
3.1 Buffer层中的应力与缺陷
3.2 Buffer层深能级陷阱对器件Vth的影响
3.3 Buffer层深能级缺陷对器件Ron的影响
3.4 Buffer层缺陷对器件垂直漏电的影响
4 Cascode HEMT的失效
4.1 Cascode的基本结构和工作原理
4.2 确定cascode失效部位的方法
4.3 Cascode中的Ron退化
5 寿命与加速老化
5.1 失效分布与平均寿命
5.2 加速老化
5.3 失效分布与寿命预测
6 总结与展望
6.1 结论
6.2 不足与展望
参考文献
攻读硕士学位期间发表学术论文情况
致谢
大连理工大学;
