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公开/公告号CN113533922A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-22
原文格式PDF
申请/专利权人 大连理工大学;
申请/专利号CN202110632887.6
发明设计人 黄火林;赵程;
申请日2021-06-07
分类号G01R31/26(20140101);
代理机构21235 大连智高专利事务所(特殊普通合伙);
代理人马庆朝
地址 116024 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号
入库时间 2023-06-19 12:57:44
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-06-14
授权
发明专利权授予
机译: 发光二极管结温度测量装置,发光二极管结温度测量方法,发光二极管结温度测量程序和光照射装置
机译: 发光二极管结温度测量装置,发光二极管结温度测量方法,发光二极管结温度测量程序及发光装置
机译: GaN HEMT的Cascode结构
机译:电力电子器件加速老化过程中基于温度敏感电参数的结温确定方法的比较
机译:使用非线性电压 - 温度关系精确测定GaN基蓝色发光二极管中的结温
机译:具有E模式P-GaN门HEMT和D模式SIC结域效应晶体管的1200V GAN / SIC CASCODE器件
机译:一种精确,快速的静电复印墨粉附着力测量方法
机译:双电压Cascode氮化镓(GaN)装置的实验评估双向DC-DC转换器
机译:勘误表开发一种快速精确的数字图像分析方法以量化冠层密度和结构复杂性
机译:一种用力传感器使用快速工具伺服修复缺陷微结构的过程测量方法
机译:m面alGaN / GaN和alInN / GaN异质结构的外延生长适用于常驻型GaN基板上的常关模式高功率场效应晶体管