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一种Cascode结构GaN电力电子器件结温快速精确测量方法

摘要

一种Cascode结构GaN电力电子器件结温快速精确测量方法,属于半导体器件测试领域。技术方案:搭建温度曲线标定平台,通过外部供热的方法,标定器件温度曲线,测定未知结温下的温敏参数,计算器件结温Tj。有益效果:本发明所述的Cascode结构GaN电力电子器件结温快速精确测量方法通过在Cascode结构GaN电力电子器件关态条件下,在器件源漏两端施加两次大小不同的偏置电流,测量偏置电压值,进而得到温敏电参数,该参数仅与两次不同的测试电流和测得的偏置电压有关,排除了测试回路中与SiMOSFET体二极管串联的GaNHEMT导通电阻RGaN对于温敏关系线性度的影响;由温敏电参数与温度的完全线性对应关系可以精确的表征器件结温。

著录项

  • 公开/公告号CN113533922A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-10-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 大连理工大学;

    申请/专利号CN202110632887.6

  • 发明设计人 黄火林;赵程;

    申请日2021-06-07

  • 分类号G01R31/26(20140101);

  • 代理机构21235 大连智高专利事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人马庆朝

  • 地址 116024 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号

  • 入库时间 2023-06-19 12:57:44

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-06-14

    授权

    发明专利权授予

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