机译:高效工作的GaN级联FET中的寄生电感降低设计
ETRI, Informat & Commun Core Technol Res Lab, Daejeon, South Korea;
ETRI, Informat & Commun Core Technol Res Lab, Daejeon, South Korea;
ETRI, Informat & Commun Core Technol Res Lab, Daejeon, South Korea;
ETRI, Informat & Commun Core Technol Res Lab, Daejeon, South Korea;
GaN cascode FET; boding wire; parasitic inductance; switching speed; switching loss; efficiency;
机译:用于高效工作的GaN级联FET中的寄生电感降低设计
机译:650 V GaN FET器件和包装寄生电感效果的光学激活的CASCODE配置
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机译:使用S参数和EM仿真在基于GAN的功率转换器中的PCB布局中的寄生环路电感
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