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李欣宜; 王泽峰; 邵帅; 张军明;
浙江大学 电气工程学院 浙江杭州 310027;
寄生电感; 开关损耗; 金属氧化物半导体场效应管;
机译:寄生电感和电容辅助有源栅极驱动技术可最大程度地降低SiC MOSFET的开关损耗
机译:用于减少功率模块中开关损耗的不对称寄生电感
机译:Buck转换器的电流源驱动器考虑寄生环路电感的开关损耗分析
机译:寄生电感对功率半导体器件开关损耗测量的影响
机译:借助Maxwell 2d和Maxwell 3d仿真对变压器,电感器和igbt桥母线进行寄生提取和磁分析。
机译:使用石英晶体寄生电容补偿大大改善了小电感测量
机译:快速切换平面电源模块,具有SiC MOSFET和超低寄生电感
机译:用于寄生电感提取的堆叠功率模块的建模。
机译:具有降低寄生电感和/或寄生电容的半导体器件,该寄生电感和/或寄生电容已添加到连接电感器和MOS压敏电阻的电线上
机译:测量和控制电感线圈之间的电感耦合的装置,该电感影响导电物体的尺寸
机译:碳化硅碳化硅去除SiC种子晶体上受影响的层的方法SiC种子晶体和SiC基质制造方法
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