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机译:使用原子层沉积和在低功率电荷捕获非易失性存储器件中的立方相氧化锆纳米岛生长
Masdar Inst Sci &
Technol Abu Dhabi Dept Elect Engn &
Comp Sci EECS Abu Dhabi U Arab Emirates;
Bilkent Univ Inst Mat Sci &
Nanotechnol TR-06800 Ankara Turkey;
Bilkent Univ UNAM Natl Nanotechnol Res Ctr TR-06800 Ankara Turkey;
Stanford Univ Dept Elect Engn Stanford CA 94305 USA;
Stanford Univ Dept Elect Engn Stanford CA 94305 USA;
Bilkent Univ Inst Mat Sci &
Nanotechnol TR-06800 Ankara Turkey;
Stanford Univ Dept Elect Engn Stanford CA 94305 USA;
Masdar Inst Sci &
Technol Abu Dhabi Dept Elect Engn &
Comp Sci EECS Abu Dhabi U Arab Emirates;
zirconia; atomic layer deposition; memory devices;
机译:使用原子层沉积和在低功率电荷捕获非易失性存储器件中的立方相氧化锆纳米岛生长
机译:使用原子层沉积的Hfalo合金电介质的低温制造及其在低功耗装置中的应用
机译:WN_xC_y的低温等离子体增强原子层沉积生长,由新型前驱物用于纳米级器件中的阻挡层
机译:原子层沉积法生长〜3 nm ZnO纳米岛
机译:用于器件应用的热原子层沉积和热原子层蚀刻
机译:HtO2 / TiO2 / HfO2三层结构RRAM器件在原子层沉积制备的Pt和TiN涂层衬底上的双极电阻转换特性
机译:采用原子层沉积的〜3纳米ZnO纳米岛的生长
机译:前驱体的研究及其在电致发光器件211薄膜原子层外延生长中的应用