机译:在Si(111)上的FIB图案化3C-SiC纳米结构上的外延石墨烯生长:减少碾磨损伤
Queensland Univ Technol Sci &
Engn Fac Sch Chem Phys &
Mech Engn Brisbane Qld Australia;
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Engn Fac Inst Future Environm Cent Analyt Res Facil Brisbane Qld Australia;
Univ Technol Sydney Fac Engn &
Informat Technol Sch Comp &
Commun Sydney NSW Australia;
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graphene; SiC; epitaxy; focused ion beam; patterning;
机译:在Si(111)上的FIB图案化3C-SiC纳米结构上的外延石墨烯生长:减少碾磨损伤
机译:外延石墨烯生长的早期阶段,Si去除的3C-SiC(111)表面上碳原子的原子行为
机译:外延石墨烯生长的早期阶段,Si去除的3C-SiC(111)表面上碳原子的原子行为
机译:通过快速热化学气相沉积从四甲基硅烷的Si晶片上的3C-SiC(111)的外延生长:生长机理
机译:氢封端的硅(111)和外延生长的石墨烯基板上功能有机物的表征和纳米图案化。
机译:Si(111)衬底和3C-SiC(111)外延层之间的错位界面的异常性质
机译:3C-SiC(111)Si和C面上外延石墨烯的厚度和电子性能的大面积微焦点椭圆偏光光谱图