机译:使用双基板温度技术,通过分子束外延生长Gaasbi / GaAs多量子良好的LED
Ehime Univ Grad Sch Sci &
Engn 3 Bunkyo Cho Matsuyama Ehime Japan;
Paul Drude Inst Festkorperelekt Hausvogteipl 5-7 D-10117 Berlin Germany;
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Engn 3 Bunkyo Cho Matsuyama Ehime Japan;
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GaAsBi/GaAs multiple quantum wells; molecular beam epitaxy; two-substratetemperature technique; x-ray diffraction; TEM; optical properties;
机译:使用双基板温度技术,通过分子束外延生长Gaasbi / GaAs多量子良好的LED
机译:Gaasbi / Gaas MBWS通过双基板温度技术生长
机译:气源分子束外延生长的InGaAs / GaAsBi / InGaAs II型量子阱的光致发光
机译:通过化学束外延生长的1.5 / spl mu / InGaAs / InGaAsP分离禁闭多量子阱激光器
机译:通过分子束外延生长的GaAs / Gaassb(N)核心壳纳米线的带隙调谐
机译:分子束外延生长的分子束外延和GaAsBi / GaAs量子阱的性质:热退火的影响
机译:分子束外延生长的分子束外延和GaAsBi / GaAs量子阱的性质:热退火的影响
机译:通过分子束外延在Gaas衬底上的Inalas缓冲层上生长的InGaas / alGaas子带间跃迁结构