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机译:在中红外波长下GaN纳米线异质结构中的运动器吸收
Univ Grenoble Alpes CEA INAC PHELIQS 17 Av Martyrs F-38000 Grenoble France;
Univ Grenoble Alpes CEA INAC PHELIQS 17 Av Martyrs F-38000 Grenoble France;
Univ Grenoble Alpes CNRS Inst Neel 25 Av Martyrs F-38000 Grenoble France;
Univ Grenoble Alpes CNRS Inst Neel 25 Av Martyrs F-38000 Grenoble France;
Univ Grenoble Alpes CNRS Inst Neel 25 Av Martyrs F-38000 Grenoble France;
Univ Grenoble Alpes CEA INAC PHELIQS 17 Av Martyrs F-38000 Grenoble France;
GaN; nanowire; infrared; intersubband;
机译:在中红外波长下GaN纳米线异质结构中的运动器吸收
机译:非极性GaN / Al(Ga)N异质结构中的短波,中红外和远红外子带吸收
机译:在自组装纳米线和2D层中的Si-和Ge掺杂GaN / AlN异质结构中的间隙吸收
机译:GaN / AlN掺杂量子阱中电信波长下的子带间吸收:多体效应的影响
机译:由于氮化镓/氮化铝超晶格中的子带间跃迁而引起的近红外波长吸收。
机译:通过金属有机化学气相沉积法生长具有不同夹层的高Al含量AlxGa1-xN / GaN多量子阱的子带间吸收特性
机译:短波和中波红外区域中非极性GaN / Al(Ga)N异质结构的子带间跃迁