...
机译:在自组装纳米线和2D层中的Si-和Ge掺杂GaN / AlN异质结构中的间隙吸收
Univ Grenoble Alpes F-38000 Grenoble France;
Univ Grenoble Alpes F-38000 Grenoble France;
Univ Grenoble Alpes F-38000 Grenoble France;
Univ Grenoble Alpes F-38000 Grenoble France;
Univ Grenoble Alpes F-38000 Grenoble France;
Univ Grenoble Alpes F-38000 Grenoble France;
Univ Grenoble Alpes F-38000 Grenoble France;
AlN; doping; GaN; heterostructures; intersubband absorption; nanowires;
机译:在自组装纳米线和2D层中的Si-和Ge掺杂GaN / AlN异质结构中的间隙吸收
机译:自组装Ge掺杂的GaN / AlN纳米线异质结构的带内吸收
机译:使用GaN / AlN超晶格作为MOCVD生长的阻挡层的AlGaN / GaN异质结构中2DEG特性的研究
机译:GaN / AlN异质结构波导中子带间跃迁引起的电吸收和折射率调制
机译:GaN-On-Si异质结构损失和2deg作为导体的微波表征
机译:不同成核层的溅射AlN模板上生长的AlGaN / GaN异质结构的研究
机译:插入在两个AlN层之间的GaN厚度对晶格匹配的AlInN / AlN / GaN / AlN / GaN双通道异质结构的输运性能的影响
机译:无掺杂GaN / alN / alGaN径向纳米线异质结构作为高电子迁移率晶体管。