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机译:将原子薄MOO3的快速对单层厚度的快速合成,用于WSE2的有效孔掺杂
Stanford Univ Dept Mech Engn Stanford CA 94305 USA;
Stanford Univ Dept Elect Engn Stanford CA 94305 USA;
Stanford Univ Stanford Nano Shared Facil Stanford CA 94305 USA;
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Flame synthesis; MoO3 monolayer; WSe2; p-type doping; transition metal dichalcogenides;
机译:将原子薄MOO3的快速对单层厚度的快速合成,用于WSE2的有效孔掺杂
机译:通过厚度调制和MoO3层掺杂来控制WSe2场效应晶体管的载流子类型
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机译:WSe2单层中晶格动力学和原子运动的可视化
机译:MoS2,WSe2和CuIn 7Se11原子薄2D层的合成,电子和光电传输特性
机译:单层WSe2中光学初始化的鲁棒谷极化孔
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