机译:SiC衬底上SiO_2 / AlInN / AlN / GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管的传输特性
AlInN/AlN/GaN; drift mobility; metal-oxide-semiconductor high electron mobility transistor (MOSHEMT); SiO_2 dielectric; SiC substrate;
机译:SiC衬底上SiO_2 / AlInN / AlN / GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管的传输特性
机译:AlInN / AlN / GaN高电子迁移率晶体管的电子和传输性能
机译:蓝宝石衬底上的大外围AlInN / AlN / GaN金属氧化物半导体异质结构场效应晶体管
机译:高质量AlInN / GaN超晶格和GaN上无裂纹AlN的晶体生长:它们具有高电子迁移率晶体管的可能性
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:具有极化P(VDF-TrFE)铁电聚合物门控的AlGaN / GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管
机译:在4H-SiC衬底上生长的AlGaN / AlN / GaN高电子迁移率晶体管结构的时间分辨光致发光特性