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谢生; 冯志红; 刘波; 毛陆虹; 张世林;
高电子迁移率晶体管; 铝铟氮; 氮化镓;
机译:栅极长度缩放对使用AlGaN / GaN和AlInN / AlN / GaN异质结构的高电子迁移率晶体管器件的影响
机译:具有AlInN背势垒的InAlN / GaN高电子迁移率晶体管的仿真研究
机译:使用金门控的基于AlInN / GaN高电子迁移率晶体管的传感器高灵敏地检测脱氧核糖核酸杂交
机译:alinn / GaN / Alinn / GaN多层缓冲器及其装置特征在alinn / GaN / Alinn / GaN的高质量GaN淘汰管理器的生长
机译:用于大功率应用的AlInN / GaN HEMTS的技术开发和表征
机译:具有再生欧姆接触的半绝缘Ammono-GaN衬底上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管
机译:AlInN / AlN / GaN单通道和AlInN / AlN / GaN / AlN / GaN双通道异质结构中的电流传输机制
机译:m面alGaN / GaN和alInN / GaN异质结构的外延生长适用于常驻型GaN基板上的常关模式高功率场效应晶体管
机译:蓝宝石衬底上的多指大外围AlInN / AlN / GaN金属氧化物半导体异质结构场效应晶体管
机译:金属有机气相外延生长基于单晶AlInN-GaN的热电材料
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