SiC衬底上物理气相传输法制备AlN晶体的研究

摘要

在碳化硅(SiC)衬底上通过物理气相传输(PVT)法制备出氮化铝晶体。采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微(SEM)和能量色散光谱(EDS)等手段对制备出的样品进行分析测试。同时,再结合碳化硅和氮化铝的物理、化学特性以及对制备过程的分析。由此得知,由于作为衬底的碳化硅在高温生长条件下发生热分解反应,使碳、硅杂质引入到制备的AlN晶体中,影响晶体的质量。提出预先在碳化硅衬底上通过金属有机物化学沉积(MOCVD)法外延一层氮化铝单晶膜,然后再进行物理气相生长氮化铝晶体方法.