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物理气相传输法生长大尺寸AlN晶体及其性质表征

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利用物理气相传输法(PVT)生长了直径40-50 mm、厚约8-10 mm的AlN多晶锭,最大晶粒尺寸为5毫米.用拉曼散射和阴极荧光谱研究了AlN晶体的结晶质量、缺陷和结构特性.分析了不同温度下AlN晶体的导电特性,并确定在AlN晶体中存在一个激活能约为0.98eV的深能级缺陷.结合这些结果分析了PVT法生长条件对AlN体单晶生长和晶体质量的影响.

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来源
《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》|2006年|245-250|共6页
会议地点广西北海
作者
董志远; 赵有文; 魏学成; 李晋闽;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类杂质和缺陷;
关键词
AlN晶体; 物理气相传输法; 晶体缺陷; 晶体结构; 单晶生长;
入库时间 2022-08-17 10:41:22

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