机译:40 MHz等离子体增强CVD制备的氢化非晶硅锗合金的拉曼散射和电特性研究
Conductivity; Hydrogenated amorphous silicon-germanium; Raman spectrum;
机译:40 MHz等离子体增强CVD制备的氢化非晶硅锗合金的拉曼散射和电特性研究
机译:射频制备n-Si衬底上掺硼氢化非晶碳的光伏特性三甲基硼的等离子体增强CVD
机译:r制备的n-Si衬底上掺硼的氢化非晶碳的光伏特性。 F。三甲基硼的等离子体增强CVD
机译:通过LF-PECVD制备的氢化非晶硅锗薄膜的生物相容性和表面性质
机译:PECVD氢化非晶硅膜和HWCVD氢化非晶硅膜的质子NMR研究。
机译:CVD石墨烯上等离子增强化学气相沉积法制备的无转移反型石墨烯/硅异质结构
机译:等离子体CVD法制备氢化非晶硅碳化物的结构和电性能。
机译:通过远程等离子体增强化学气相沉积(远程pECVD)生长的非晶硅合金中缺陷产生的基础研究。年度分包合同报告,1990年9月1日 - 1991年8月31日