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MW-ECR制备的氢化非晶硅光电特性研究

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摘要

通过对热丝辅助微波电子回旋共振(HW-MW-ECRCVD)法制备的氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜进行暗电导与温度关系的测试,可得到暗电导激活能(Ea),并研究了Ea与a-Si:H薄膜光敏性(σph/σ d)的关系;发现随着Ea的增大,费米能级位置下移,缺陷态密度减少,薄膜的光敏性变好.

著录项

来源
《功能材料》 |2004年第z1期|432-433|共2页
作者
高卓; 胡跃辉; 朱秀红; 马占杰; 周怀恩; 陈光华;
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作者单位

北京工业大学,新型功能材料教育部重点实验室,北京,100022;

北京工业大学,新型功能材料教育部重点实验室,北京,100022;

北京工业大学,新型功能材料教育部重点实验室,北京,100022;

北京工业大学,新型功能材料教育部重点实验室,北京,100022;

北京工业大学,新型功能材料教育部重点实验室,北京,100022;

北京工业大学,新型功能材料教育部重点实验室,北京,100022;

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正文语种 chi
中图分类薄膜的性质;
关键词
氢化非晶硅薄膜; 暗电导激活能; 光敏性;

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