基于温和等离子体CVD的非晶硅薄膜的制备与钝化研究

摘要

采用容性放电模式(E-mode)的电感耦合等离子体化学气相沉积技术(ICPCVD),以硅烷(SiH_4)和氢气(H_2)作为气源,通过改变沉积气压来制备氢化非晶硅薄膜(a-Si∶H)。采用少子寿命测试仪(Sinton WCT-120)研究薄膜在n型单晶硅片表面的钝化效果。并通过傅里叶红外光谱仪(FTIR)和扫描电子显微镜(SEM)进一步表征薄膜的氢含量、微结构因子和表面形貌。结果表明,气压偏低或者偏高都会影响薄膜质量,生成多孔隙的薄膜,从而影响薄膜的钝化性能。最优沉积气压为65 Pa,并进一步优化少子寿命到445μs,复合速度减小到48 cm/s,隐开路电压接近700 m V。