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机译:沉积在n-GaN上的后退火Ti / Al / ITO透明导电触点的高品质因数
Figure of merit; Annealing; Ti/Al; Indium tin oxides; Sputtering; n-GaN;
机译:沉积在n-GaN上的后退火Ti / Al / ITO透明导电触点的高品质因数
机译:与n-GaN的低电阻,高度透明和热稳定的Ti / ITO欧姆接触
机译:使用Ti-Nb合金靶通过反应性直流溅射沉积的透明Nb掺杂TiO_2导电薄膜,可通过阻抗反馈系统精确地控制过渡区域
机译:陶瓷和金属旋转靶材通过脉冲直流磁控溅射在低温下沉积的高导电性和透明ITO膜
机译:通过中和离子束溅射和脉冲激光沉积沉积的n型薄膜透明导电氧化物的电学和光学性质的制备和表征。
机译:射频直流和射频叠加直流磁控溅射沉积的透明导电掺铝ZnO多晶薄膜的载流子输运和晶体学取向特征
机译:沉积在n-GaN上的后退火Ti / Al / ITO透明导电触点的高品质因数