机译:Ge缓冲Si(001)衬底上Ge_(1-x)Sn_x / Ge超晶格的量子限制光致发光
机译:Ge缓冲Si(001)衬底上Ge_(1-x)Sn_x / Ge超晶格的量子限制光致发光
机译:Ge缓冲Si(001)衬底上Ge(1-x)Sn_x合金的外延生长和热稳定性
机译:在Ge(110)衬底上形成高质量的Ge_(1-x)Sn_x层,并在Ge_(1-x)Sn_x / Ge界面处以应变诱导的方式限制了层错
机译:孔有效质量的应变Ge_(1-x)Sn_x合金P沟道量子阱MOSFET在(001),(110)和(111)GE基板上
机译:硅(1-x)锗(x)/硅和硅/锗应变层超晶格的光致发光研究。
机译:通过MOCVD在300mm GE缓冲的Si(001)衬底上产生的o频带Qualtum Dots
机译:Ge_(1-x)sn_x合金中的非取代单原子缺陷
机译:bcc过渡金属薄膜和超晶格在mgO(111),(011)和(001)衬底上的外延生长