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机译:In0.3Ga0.7As / GaAs表面和掩埋量子点的光致发光比较研究
quantum dots; photoluminescence; semiconductor compound; carrier transfer;
机译:In0.3Ga0.7As / GaAs表面和掩埋量子点的光致发光比较研究
机译:Ⅰ型InAs / GaAs_(0.89)Sb_(0.11)和Ⅱ型InAs / GaAs_(0.85)Sb_(0.15)量子点的光致发光比较研究
机译:InGaAs埋入的InAs / GaAs量子点的光致发光线性极化的温度控制对称性
机译:INAS量子点嵌入式量子阱中的光致发光变化的比较研究
机译:通过利用外延Ag岛的局部表面等离激元来增强Ge量子点的光致发光。
机译:温度和激发强度对InGaAs / GaAs表面量子点光致发光特性的相互作用
机译:通过光致发光激发光谱法研究具有In0.3Ga0.7As / GaAs量子点的自组装系统中的载流子转移过程