In0.3Ga0.7As多层耦合表面量子点气敏特性分析

摘要

详细分析了不同激光功率下,沉积在5层掩埋量子点(BQDs)层上的In0.3Ga0.7As表面量子点(SQDs)的气敏特性.结果表明,SQDs的存在和光照是样品具有气敏性的两个关键条件.激光功率越强,样品的气敏性越好.同时,SQDs耦合结构中,GaAs隔离层厚度越薄,样品的气敏性能越好,表明SQDs层与BQDs层之间存在的载流子跃迁对耦合结构的气敏特性具有十分重要的影响.该研究结果表明:In0.3Ga0.7As SQDs在气敏传感器领域有广阔的应用前景.