高密度InAlGaAs/AlGaAs量子点的光致发光性质研究

摘要

利用分子束外延技术制备了InAlGaAs/AIGaAs高密度(1.21×1011cm-2)量子点,并对其变温(4～320K)和变激发功率(0.05～50mW)光致发光性质进行了研究。实验发现,随着激发光功率的增加,量子点发光峰位发生大幅蓝移。该现象源于紧密相邻量子点间的势垒降低导致的载流子在量子点间的直接转移。